昌錫江教授
博士生導師，民盟盟員，1984年出生于寧夏銀川。本科就讀于清華大學工程物理系，后保研復旦大學，2013年在電光源系獲得物理電子學博士(理學)學位，同年獲得日本靜岡大學納米顯示工程博士(工學)學位。后相繼在日本東北大學，北京北方微電子，上海工程技術大學工作，2019年加入東華大學，2023年獲聘教授、博導。研究方向涉及低溫等離子體物理，等離子體源及診斷，在專業領域知名期刊發表學術論文40多篇，授權專利10余項。在半導體高端設備領域有多年從業經驗，2021年以顧問身份參與華為戰略性項目，任等離子體領域首席專家。
研究方向：
1、 低溫等離子體源設計及應用
2、 微波等離子體
3、 集成電路加工裝備
榮譽及獲獎情況：
1、 2015，省部級人才，北京市“海聚工程”特聘專家，
2、 2016，省部級人才，上海市青年東方學者
近年來承擔的主要科研項目：
1、 國家自然科學基金面上項目：表面波等離子體原位氮摻雜制備金剛石NV發光中心的研究，2022-2025；
2、 國家自然科學基金青年項目：有機電致發光器件材料的等離子體中性束修飾機理研究，2017-2019；
3、 上海高校選拔培養優秀青年教師科研專項基金資助項目，2016-2017
4、 與多家企業以技術服務形式簽署橫向項目
近年來發表的代表性論著、專利：
論文
1、 Xijiang Chang*, Shuchang Xu, Daqian Wang, Zhihao Zhang, Ying Guo and Shifei Kang*, Flash Dual-Engineering of Surface Carboxyl Defects and Single Cu Atoms of g-C3N4 Via Unique CO2 Plasma Immersion Approach for Boosted Photocatalytic Activity. Matetials Today Advances. 15, 100274, 2022
2、 Xijiang Chang* Daqian Wang, Shuchang Xu, Zhihao Zhang, Ziying Xiong, Ying Guo and Shifei Kang*, Unraveling Structural Carboxyl Defects in g-C3N4 for Improved Photocatalytic H2 Evolution Via Alternating Hydrogen-Oxygen-Plasma Treatment. Advanced Sustainable Systems, 2200207, 2022
3、 Shifei Kang, Zhihao Zhang, Maofen He, Zirou Fang, Di Sun, Lulu Zheng, Xijiang Chang*, Lifeng Cui*, Harmonious K-I-O co-modification of g-C3N4 for improved charge separation and photocatalysis. Inorganic Chemistry Frontiers, 9, 5, 950-958. 2022
4、 Shifei Kang, Maofen He, Mengya Chen, Yanfei Liu, Yuting Wang, Yangang Wang, Mingdong Dong, Xijiang Chang*, Lifeng Cui*. Surface amino group regulation and structural engineering of graphitic carbon nitride with enhanced photocatalytic activity by ultrafast ammonia plasma immersion modification. ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 14952-14959, 2019
5、 Jingxia Yang*, Huihui Ding, Zhu Zhu, Qiuhe Wang, Jinjie Wang, Jingli Xu, Xijiang Chang*. Surface modification of CeO2 nanoflakes by low temperature plasma treatment to enhance imine yield: influences of different plasma atmospheres. Applied Surface Science, 454, 173-180, 2018
專利
1、 一種等離子體射流產生裝置 ，第一發明人，201810847719.7，已轉讓
2、 一種圓柱表面波等離子體產生裝置 ，第一發明人，201811287082.7，已轉讓
3、 一種等離子體射流的發生裝置，第一發明人，201810845748.X
聯系電話：021-67792089+1563 E-MAIL：changxj@dhu.edu.cn
